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ATO NAND FLASH：AFND1G08U3

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ATO-SLC NAND FLASH-AFND1G08U3-1Gbit(128M×8Bit）


功能概要

電源

  • 3.3V器件（AFND1G08U3）2.7V?3.6V


組織

  • 存儲(chǔ)單元陣列：（128M + 4M）x 8位

  • 數(shù)據(jù)寄存器：（2048 + 64）x 8位


自動(dòng)編程和擦除

  • 頁面程序：（2048 + 64）x 8位

  • 塊擦除：（128K + 4K）x 8位= 64頁


頁面讀取操作

  • 頁面大?。海?048 + 64）x 8位

  • 隨機(jī)存取：25us（最大）

  • 串行頁面訪問：25ns（最?。?/p>


快速寫周期

  • 編程時(shí)間：200us（Typ。）

  • 塊擦除時(shí)間：2ms（Typ。）CopyBack PROGRAM Operation

  • 快速頁面復(fù)制，無需外部緩沖


狀態(tài)寄存器

  • 正常狀態(tài)寄存器（讀/編程/擦除）


安全功能

  • OTP區(qū)域，16KB（8頁）


硬件數(shù)據(jù)保護(hù)

  • 電源轉(zhuǎn)換期間編程/擦除被鎖定


數(shù)據(jù)的完整性

  • 耐用性：100K編程/擦除周期（具有1bit / 528byte ECC）

  • 數(shù)據(jù)保留期：10年


包

  • AFND1G08U3：無鉛封裝

  • 48pin TSOP（12 x 20 / 0.5毫米間距

  • 48球FBGA：9.0 x 9.0 x 1.0mm

  • 48球FBGA：6.5 x 8.0 x 1.0mm


工作溫度

  • 商業(yè)：0°C?70°C

  • 工業(yè)溫度：40°C?85°C


一般說明

AFND1G08U3是1G位，具有32Mbit的備用容量。該器件采用3.3V電源供電。其NAND單元為固態(tài)海量存儲(chǔ)市場(chǎng)提供了最具成本效益的解決方案。存儲(chǔ)器分為可獨(dú)立擦除的塊，因此可以在擦除舊數(shù)據(jù)的同時(shí)保留有效數(shù)據(jù)。該器件包含1024個(gè)塊，由64頁組成，由16個(gè)串聯(lián)閃存單元的兩個(gè)NAND結(jié)構(gòu)組成?？梢栽?048字節(jié)上以典型200us的速度執(zhí)行編程操作，在128K字節(jié)塊上以2ms的典型時(shí)間執(zhí)行擦除操作。頁面中的數(shù)據(jù)可以每個(gè)字節(jié)25ns的循環(huán)時(shí)間讀取。I / O引腳用作地址和數(shù)據(jù)輸入/輸出以及命令輸入的端口。使用/ CE，/ WE，ALE和CLE輸入引腳同步引入命令，數(shù)據(jù)和地址。每次操作期間，輸出引腳R / B（漏極開路緩沖器）發(fā)出信號(hào)以指示設(shè)備狀態(tài)。在具有多個(gè)存儲(chǔ)器的系統(tǒng)中，R / B引腳可以全部連接在一起以提供全局狀態(tài)信號(hào)。片上寫控制可自動(dòng)執(zhí)行所有編程和擦除功能，包括在需要時(shí)進(jìn)行脈沖重復(fù)以及內(nèi)部驗(yàn)證和數(shù)據(jù)余量處理。通過為ECC（錯(cuò)誤校正碼）提供實(shí)時(shí)映射輸出算法，即使是寫密集型系統(tǒng)也可以利用AFND1G08U3擴(kuò)展的100K編程/擦除周期可靠性。片上寫控制可自動(dòng)執(zhí)行所有編程和擦除功能，包括在需要時(shí)進(jìn)行脈沖重復(fù)以及內(nèi)部驗(yàn)證和數(shù)據(jù)余量處理。通過為ECC（錯(cuò)誤校正碼）提供實(shí)時(shí)映射輸出算法，即使是寫密集型系統(tǒng)也可以利用AFND1G08U3擴(kuò)展的100K編程/擦除周期可靠性。片上寫控制可自動(dòng)執(zhí)行所有編程和擦除功能，包括在需要時(shí)進(jìn)行脈沖重復(fù)以及內(nèi)部驗(yàn)證和數(shù)據(jù)余量處理。通過為ECC（錯(cuò)誤校正碼）提供實(shí)時(shí)映射輸出算法，即使是寫密集型系統(tǒng)也可以利用AFND1G08U3擴(kuò)展的100K編程/擦除周期可靠性。


該芯片可以提供/ CE無關(guān)功能。該功能允許微控制器從NAND閃存設(shè)備直接下載代碼，因?yàn)? CE轉(zhuǎn)換不會(huì)停止讀取操作。


回寫功能可以優(yōu)化缺陷塊管理：當(dāng)頁面編程操作失敗時(shí)，可以將數(shù)據(jù)直接編程在同一數(shù)組部分內(nèi)的另一個(gè)頁面中，而無需耗時(shí)的串行數(shù)據(jù)插入階段。此外，該設(shè)備還包括其他功能，例如OTP區(qū)域，阻止機(jī)制。


AFND1G08U3是大型非易失性存儲(chǔ)應(yīng)用（例如固態(tài)文件存儲(chǔ)和其他需要非易失性的便攜式應(yīng)用）的最佳解決方案。


引腳配置（TSOP1）

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封裝尺寸

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引腳配置（48ball-FBGA）

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封裝外形圖（48ball-FBGA 6.5x8mm）

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引腳說明

引腳名稱引腳功能
I/O0?I/O7數(shù)據(jù)輸入/輸出
I/O引腳用于輸入命令，地址和數(shù)據(jù)，并在讀取操作期間輸出數(shù)據(jù)。取消選擇芯片或禁用輸出時(shí)，I/O引腳懸空至高阻z。
CLE命令閂鎖使能
CLE輸入控制發(fā)送到命令寄存器的命令的激活路徑。當(dāng)高電平有效時(shí)，命令在/ WE信號(hào)的上升沿通過I/O端口鎖存到命令寄存器中。
ALE地址鎖存使能
ALE輸入控制地址到內(nèi)部地址寄存器的激活路徑。地址在ALE高電平時(shí)鎖存在/ WE的上升沿
/CE芯片使能
/CE輸入是設(shè)備選擇控件。當(dāng)設(shè)備處于繁忙狀態(tài)時(shí)，/CE高電平將被忽略，并且在編程或擦除操作中設(shè)備不會(huì)返回待機(jī)模式。關(guān)于讀取操作期間的/CE控制，請(qǐng)參見設(shè)備操作的“頁面讀取”部分。
/REREAD ENABLE
/RE輸入是串行數(shù)據(jù)輸出控件，激活時(shí)將數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)到I/O總線上。數(shù)據(jù)在/RE下降沿之后有效tREA，這也會(huì)使內(nèi)部列地址計(jì)數(shù)器加1。
/WE寫入使能
/WE輸入控件寫入I/O端口。命令，地址和數(shù)據(jù)在/WE脈沖的上升沿鎖存。
/WP寫保護(hù)
/WP引腳在電源轉(zhuǎn)換期間提供了意外的寫/擦除保護(hù)。/WP引腳為低電平有效時(shí)，內(nèi)部高壓發(fā)生器復(fù)位。
R/BREADY / BUSY輸出
R/B輸出指示設(shè)備操作的狀態(tài)。為低時(shí)，表示正在進(jìn)行擦除隨機(jī)讀取操作的程序，并在完成時(shí)返回高狀態(tài)。它是開漏輸出，當(dāng)取消選擇芯片或禁用輸出時(shí)，它不會(huì)浮到高阻狀態(tài)。
Vcc電源
Vcc是設(shè)備的電源。
VS地面
N.C無連接
導(dǎo)線未在內(nèi)部連接。


AFND1G08U3功能框圖

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AFND1G08U3陣列組織

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I/O 0I/O 0I/O 0I/O 0I/O 0I/O 0I/O 0I/O 0
1st CycleA0A1A2A3A4A5A6A7Column Address
2nd CycleA8A9A10A11*L*L*L*LColumn Address
3rd CycleA12A13A14A15A16A17A18A19Row Address
4th CycleA20A21A22A23A24A25A26A27(Page Address)


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