ATO-SLC NAND FLASH-AFND5608U1-256Mbit
256Mbit（32Mx8Bit） NAND FLASH
功能概要
電源
3.3V器件（AFND5608U1）2.7V?3.6V
組織
內存單元陣列：（32M + 1024K）x 8位
數(shù)據(jù)寄存器：（512 + 16）x 8位
自動編程和擦除
頁面程序：（512 + 16）Bytes
塊擦除：（16K +512）Bytes
頁面讀取操作
頁面大?。海?12 + 16）Bytes
隨機存?。?2us（最大）
串行頁面訪問：30ns（最?。?/p>
快速寫周期
編程時間：200us（Typ。）
塊擦除時間：2ms（Typ。）CopyBack PROGRAM Operation
快速頁面復制，無需外部緩沖
命令寄存器操作
-
安全功能
OTP區(qū)域，16KB（32頁）
硬件數(shù)據(jù)保護
電源轉換期間編程/擦除被鎖定
數(shù)據(jù)的完整性
耐用性：100K編程/擦除周期（具有1bit/528byte ECC）
數(shù)據(jù)保留期：10年
封裝
AFND5608U1：無鉛封裝
48pin TSOP（12 x 20/0.5毫米間距
48ball FBGA：9.0 x 9.0 x 1.0mm
工作溫度
商業(yè)：0°C?70°C
工業(yè)溫度：40°C?85°C
一般說明
AFND5608U1為256Mbit，備用容量為8Mbit。該器件采用3.3V電源供電。其NAND單元為固態(tài)海量存儲市場提供了最具成本效益的解決方案。
可以在528字節(jié)上以200us典型的速度執(zhí)行編程操作，在16 KB塊上以2 ms的典型速度執(zhí)行擦除操作。頁面中的數(shù)據(jù)可以30字節(jié)/字節(jié)的周期時間讀出。 I/O引腳用作地址和數(shù)據(jù)輸入/輸出以及命令輸入的端口。使用/CE，/WE，ALE和CLE輸入引腳同步引入命令，數(shù)據(jù)和地址。每次操作期間，輸出引腳R/B（漏極開路緩沖器）發(fā)出信號以指示設備狀態(tài)。在具有多個存儲器的系統(tǒng)中，R/B引腳可以全部連接在一起以提供全局狀態(tài)信號。片上寫控制可自動執(zhí)行所有編程和擦除功能，包括在需要時進行脈沖重復以及內部驗證和數(shù)據(jù)余量處理。通過為ECC（糾錯碼）提供實時映射輸出算法，即使是寫密集型系統(tǒng)也可以利用AFND5608U1擴展的100K編程/擦除周期可靠性。
該芯片可以提供/CE無關功能。該功能允許微控制器從NAND閃存設備直接下載代碼，因為/CE轉換不會停止讀取操作。
回寫功能可以優(yōu)化缺陷塊管理：當頁面編程操作失敗時，可以將數(shù)據(jù)直接編程在同一數(shù)組部分內的另一個頁面中，而無需耗時的串行數(shù)據(jù)插入階段。此外，此設備還包括其他功能，例如OTP區(qū)域。
AFND5608U1是大型非易失性存儲應用（例如固態(tài)文件存儲和其他需要非易失性的便攜式應用）的最佳解決方案。
引腳配置（TSOP1）
封裝尺寸
48引腳無鉛/無鉛塑料薄型小型外形封裝類型（I）
引腳配置（48ball-FBGA）
封裝外形圖（48ball-FBGA 9x9mm）
引腳說明
| 引腳名稱 | 引腳功能 |
| I/O0?I/O7 | 數(shù)據(jù)輸入/輸出 I/O引腳用于輸入命令，地址和數(shù)據(jù)，并在讀取操作期間輸出數(shù)據(jù)。取消選擇芯片或禁用輸出時，I/O引腳懸空至高阻z。 |
| CLE | 命令閂鎖使能 CLE輸入控制發(fā)送到命令寄存器的命令的激活路徑。當高電平有效時，命令在/WE信號的上升沿通過I/O端口鎖存到命令寄存器中。 |
| ALE | 地址鎖存使能 ALE輸入控制地址到內部地址寄存器的激活路徑。地址在ALE高電平時鎖存在/WE的上升沿 |
| /CE | 芯片使能 /CE輸入是設備選擇控件。當設備處于繁忙狀態(tài)時，/CE高電平將被忽略，并且在編程或擦除操作中設備不會返回待機模式。關于讀取操作期間的/CE控制，請參見設備操作的“頁面讀取”部分。 |
| /RE | READ ENABLE /RE輸入是串行數(shù)據(jù)輸出控件，激活時將數(shù)據(jù)驅動到I/O總線上。數(shù)據(jù)在/RE下降沿之后有效tREA，這也會使內部列地址計數(shù)器加1。 |
| /WE | 寫入使能 /WE輸入控件寫入I/O端口。命令，地址和數(shù)據(jù)在/WE脈沖的上升沿鎖存。 |
| /WP | 寫保護 /WP引腳在電源轉換期間提供了意外的寫/擦除保護。/WP引腳為低電平有效時，內部高壓發(fā)生器復位。 |
| R/B | READY/BUSY輸出 R/B輸出指示設備操作的狀態(tài)。為低時，表示正在進行擦除隨機讀取操作的程序，并在完成時返回高狀態(tài)。它是開漏輸出，當取消選擇芯片或禁用輸出時，它不會浮到高阻狀態(tài)。 |
| Vcc | 電源 Vcc是設備的電源。 |
| VS | 地面 |
| N.C | 無連接 導線未在內部連接。 |
AFND5608U1功能框圖
AFND5608U1陣列組織
| I/O 0 | I/O 0 | I/O 0 | I/O 0 | I/O 0 | I/O 0 | I/O 0 | I/O 0 | ||
| 1st Cycle | A0 | A1 | A2 | A3 | A4 | A5 | A6 | A7 | Column Address |
| 2nd Cycle | A9 | A10 | A11 | A12 | A13 | A14 | A15 | A16 | Row Address |
| 3rd Cycle | A17 | A18 | A19 | A20 | A21 | A22 | A23 | A24 | (Page Address) |
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256Mbit（32Mx16Bit） NAND FLASH
功能概要
電源
3.3V器件（AFND5616U1）2.7V?3.6V
組織
存儲單元陣列：（16M + 512K）x 16位
數(shù)據(jù)寄存器：（256 + 8）x 16位
自動編程和擦除
頁面程序：（256 + 8）Word
區(qū)塊擦除：（8K + 256）字
頁面讀取操作
頁面大小：（256 + 8）字
隨機存?。?2us（最大）
串行頁面訪問：30ns（最?。?/p>
快速寫周期
編程時間：200us（Typ。）
塊擦除時間：2ms（Typ。）CopyBack PROGRAM Operation
快速頁面復制，無需外部緩沖
命令寄存器操作
-
安全功能
OTP區(qū)域，8K Word（32頁）
硬件數(shù)據(jù)保護
電源轉換期間編程/擦除被鎖定
數(shù)據(jù)的完整性
耐用性：100K編程/擦除周期（具有1bit/264Words ECC）
數(shù)據(jù)保留期：10年
封裝
AFND5616U1：無鉛封裝
48pin TSOP（12 x 20/0.5毫米間距）
48ball FBGA：9.0 x 9.0 x 1.0mm
工作溫度
商業(yè)：0°C?70°C
工業(yè)溫度：40°C?85°C
一般說明
AFND5616U1為256Mbit，備用容量為8Mbit。該器件采用3.3V電源供電。
其NAND單元為固態(tài)海量存儲市場提供了最具成本效益的解決方案。
可以在264Word上典型地以200us執(zhí)行編程操作，而在8KWord塊上典型地以2ms執(zhí)行擦除操作。每個字可以30ns的循環(huán)時間讀取頁面中的數(shù)據(jù)。 I/O引腳用作地址和數(shù)據(jù)輸入/輸出以及命令輸入的端口。使用/CE，/WE，ALE和CLE輸入引腳同步引入命令，數(shù)據(jù)和地址。每次操作期間，輸出引腳R/B（漏極開路緩沖器）發(fā)出信號以指示設備狀態(tài)。在具有多個存儲器的系統(tǒng)中，R/B引腳可以全部連接在一起以提供全局狀態(tài)信號。片上寫控制可自動執(zhí)行所有編程和擦除功能，包括在需要時進行脈沖重復以及內部驗證和數(shù)據(jù)余量處理。通過為ECC（糾錯碼）提供實時映射算法，即使是寫密集型系統(tǒng)也可以利用AFND5616U1擴展的100K編程/擦除周期可靠性。
該芯片可以提供/CE無關功能。該功能允許微控制器從NAND閃存設備直接下載代碼，因為/CE轉換不會停止讀取操作。
回寫功能可以優(yōu)化缺陷塊管理：當頁面編程操作失敗時，可以將數(shù)據(jù)直接編程在同一數(shù)組部分內的另一個頁面中，而無需耗時的串行數(shù)據(jù)插入階段。此外，此設備還包括其他功能，例如OTP區(qū)域。
AFND5616U1是大型非易失性存儲應用（如固態(tài)文件存儲和其他要求非易失性的便攜式應用）的最佳解決方案。
引腳配置（TSOP1）
封裝尺寸
48引腳無鉛/無鉛塑料薄型小型外形封裝類型（I）
引腳配置（48ball-FBGA）
包裝外形圖（48ball-FBGA 9x9mm）
引腳說明
| 引腳名稱 | 引腳功能 |
| I/O0?I/O15 | 數(shù)據(jù)輸入/輸出 I/O引腳用于輸入命令，地址和數(shù)據(jù)，并在讀取操作期間輸出數(shù)據(jù)。取消選擇芯片或禁用輸出時，I/O引腳懸空至高阻z。 |
| CLE | 命令閂鎖使能 CLE輸入控制發(fā)送到命令寄存器的命令的激活路徑。當高電平有效時，命令在/WE信號的上升沿通過I/O端口鎖存到命令寄存器中。 |
| ALE | 地址鎖存使能 ALE輸入控制地址到內部地址寄存器的激活路徑。地址在ALE高電平時鎖存在/WE的上升沿 |
| /CE | 芯片使能 /CE輸入是設備選擇控件。當設備處于繁忙狀態(tài)時，/CE高電平將被忽略，并且在編程或擦除操作中設備不會返回待機模式。關于讀取操作期間的/CE控制，請參見設備操作的“頁面讀取”部分。 |
| /RE | READ ENABLE /RE輸入是串行數(shù)據(jù)輸出控件，激活時將數(shù)據(jù)驅動到I/O總線上。數(shù)據(jù)在/RE下降沿之后有效tREA，這也會使內部列地址計數(shù)器加1。 |
| /WE | 寫入使能 /WE輸入控件寫入I/O端口。命令，地址和數(shù)據(jù)在/WE脈沖的上升沿鎖存。 |
| /WP | 寫保護 /WP引腳在電源轉換期間提供了意外的寫/擦除保護。/WP引腳為低電平有效時，內部高壓發(fā)生器復位。 |
| R/B | READY/BUSY輸出 R/B輸出指示設備操作的狀態(tài)。為低時，表示正在進行擦除隨機讀取操作的程序，并在完成時返回高狀態(tài)。它是開漏輸出，當取消選擇芯片或禁用輸出時，它不會浮到高阻狀態(tài)。 |
| Vcc | 電源 Vcc是設備的電源。 |
| VS | 地面 |
| N.C | 無連接 導線未在內部連接。 |
AFND5616U1功能框圖
AFND5616U1陣列組織
| I/O 0 | I/O 0 | I/O 0 | I/O 0 | I/O 0 | I/O 0 | I/O 0 | I/O 0 | ||
| 1st Cycle | A0 | A1 | A2 | A3 | A4 | A5 | A6 | A7 | Column Address |
| 2nd Cycle | A9 | A10 | A11 | A12 | A13 | A14 | A15 | A16 | Row Address |
| 3rd Cycle | A17 | A18 | A19 | A20 | A21 | A22 | A23 | A24 | (Page Address) |
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